Магнетронные испарители

Не удалось найти URL спецификации гаджета

Процесс магнетронного распыления

Магнетронные испарители - процесса магнетронного распыленияСущность самого процесса магнетронного распыления заключена в бомбардировке мишени ионизированным заполняющим газом. В возбужденное состояние газ переводится плазмой, инициированной аномальным тлеющим разрядом.
Возникает также в ряде случаев вторичная эмиссия, от встречного электронного потока.
Эта физическая реакция также поддерживает разряд.


Конструкции магнетронных испарителей

Конструкции магнетронных испарителей
Создано достаточно много конструкций магнетронных испарителей, позволяющих наносить вакуумное напыление или такой процесс как металлизация пластмасс и иных материалов. Весьма популярны установки с планарными прототипами с магнитомягкими основаниями подложки.

Ферромагнитный сплав особого состава намагничивается, приходя в нейтральное состояние сразу же по отключению магнитов. Одновременно создается разность потенциалов с подачей напряжения порядка 1000 Вольт на катод. Магниты, расположенные на периферии относительно заряженного катода, расставлены таким образом, что силовые линии закручивают ионный факел с мишени в спираль.
Вследствие многочисленных столкновений напыляемых частиц с молекулами заполняющего газа они ступенчато ионизируются. Таким образом, стадия ориентирования подложки исключается из технологического процесса.

Процесс вакуумной металлизации

Прецезионное закручивание ионного факела возможно только при высочайшей стабильности силовых и магнитных линий. Допускаются отклонения лишь в пределах 2%. Важнейшим параметром в таком процессе, как вакуумная металлизация, также является постоянство плазмы, зависящее от электрического разряда. Посему к источникам тока выдвигаются также чрезвычайно высокие требования, практически не допускающие колебаний выходных характеристик. То же можно сказать и о давлении рабочей среды. Изменения этого параметра не должны превышать 5%-ного барьера.