Технологии вакуумного напыления прямоканальными испарителями

Не удалось найти URL спецификации гаджета

Технологии вакуумного напыления прямо канальными испарителями
Вакуумное напыление в двух этапах

Осуществляя вакуумное напыление как в магнитронных, так и ионно-плазменных установках, принято выделять два этапа. Необходимо, минуя фазу расплава, добиться испарения вещества с поверхности мишени. При сублимационном подходе осуществляют быстрый нагрев мишени сразу до температуры испарения, не допуская расплава. Для этого используются резестивные прямоканальные или косвенные нагреватели повышающие уровень кинетической энергии, вплоть до разрушения кристаллической решетки, под действием высокочастотного тока или квантового факела.



Технологии вакуумного напыления прямо канальными испарителями
Конструкция напылителя

Конструкция напылителя, производящего вакуумное покрытие, впрямую зависит от технологии, избранной для разогрева мишени. Сублимационный подход связан с повышенной энергоемкостью. Существует также проблема, связанная с тем, что отдельные металлы практически не сублимируют в глубоком вакууме. Тогда не удается избежать расплава в активной среде и приходится вынужденно внедрять систему фильтров. Поэтому гораздо эффективнее ионное распыление, разрушающее кристаллическую решетку либо весьма сильным магнитным полем, либо создавая внутри камеры значительную разность электрических потенциалов.

Такой подход позволяет снизить энергоемкость испарения, повысить производительность установки. Однако требует более серьезного внимания к рабочему давлению, поскольку формирование самого пятна осаждения впрямую зависит от того, будет ли и насколько постоянен и стабилен ионный факел. Длина свободного пробега частиц металла определяется именно давлением внутри камеры. 


Вакуумная металлизация осуществляется при давлениях, не превышающих 10-5 Па. При таких показателях резко снижается вероятность столкновения частиц, как между собой, так и с ионизированными молекулами газа.